型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: N沟道 60V 13.6A993810-49¥1.039550-99¥0.9856100-299¥0.9471300-499¥0.9240500-999¥0.90091000-2499¥0.87782500-4999¥0.8432≥5000¥0.8355
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品类: MOS管描述: N沟道 80V 16.5A178310-49¥0.702050-99¥0.6656100-299¥0.6396300-499¥0.6240500-999¥0.60841000-2499¥0.59282500-4999¥0.5694≥5000¥0.5642
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品类: MOS管描述: P沟道 100V 16.5A94235-24¥3.388525-49¥3.137550-99¥2.9618100-499¥2.8865500-2499¥2.83632500-4999¥2.77365000-9999¥2.7485≥10000¥2.7108
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品类: MOS管描述: 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET16775-49¥12.647750-199¥12.1072200-499¥11.8045500-999¥11.72891000-2499¥11.65322500-4999¥11.56675000-7499¥11.5127≥7500¥11.4586
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA46N15 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 V27065-49¥15.081350-199¥14.4368200-499¥14.0759500-999¥13.98571000-2499¥13.89542500-4999¥13.79235000-7499¥13.7279≥7500¥13.6634
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品类: MOS管描述: LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET59045-49¥31.625150-199¥30.2736200-499¥29.5168500-999¥29.32761000-2499¥29.13832500-4999¥28.92215000-7499¥28.7870≥7500¥28.6518
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。371210-99¥8.7120100-499¥8.2764500-999¥7.98601000-1999¥7.97152000-4999¥7.91345000-7499¥7.84087500-9999¥7.7827≥10000¥7.7537
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品类: IGBT晶体管描述: PFC SPM®(智能电源模块),Fairchild Semiconductor PFC(功率因数校正)的高级智能电源模块 (SPM®) ### 电动机控制器和驱动器,Fairchild Semiconductor42541-9¥245.364010-49¥238.963250-99¥234.0559100-199¥232.3490200-499¥231.0689500-999¥229.36201000-1999¥228.2952≥2000¥227.2284
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品类: IGBT晶体管描述: 传递模塑型IGBT模块 Transfer Molded Type IGBT Module69291-9¥247.284510-49¥240.833650-99¥235.8879100-199¥234.1677200-499¥232.8775500-999¥231.15731000-1999¥230.0821≥2000¥229.0070
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FNB41060 晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 10 A, 1.5 V, 32 W, 600 V, SPM26-AAA86641-9¥97.290010-99¥93.0600100-249¥92.2986250-499¥91.7064500-999¥90.77581000-2499¥90.35282500-4999¥89.7606≥5000¥89.2530
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 15A 20Pin SPMFA-B Rail61685-49¥24.780650-199¥23.7216200-499¥23.1286500-999¥22.98031000-2499¥22.83202500-4999¥22.66265000-7499¥22.5567≥7500¥22.4508
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品类: TVS二极管描述: 1.2瓦功率耗散封装1.0安培,正向电压低于600mV的 1.2 Watt Power Dissipation Package 1.0 Ampere, Forward Voltage Less than 600mV781220-49¥0.337550-99¥0.3125100-299¥0.3000300-499¥0.2900500-999¥0.28251000-4999¥0.27755000-9999¥0.2725≥10000¥0.2675
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品类: IGBT晶体管描述: 成型类型模块 Molding Type Module47891-9¥299.356510-49¥291.547250-99¥285.5601100-199¥283.4776200-499¥281.9157500-999¥279.83331000-1999¥278.5317≥2000¥277.2302
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品类: 双极性晶体管描述: PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor43445-24¥4.684525-49¥4.337550-99¥4.0946100-499¥3.9905500-2499¥3.92112500-4999¥3.83445000-9999¥3.7997≥10000¥3.7476
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品类: 双极性晶体管描述: Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose647720-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: 双极性晶体管描述: Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/22K 47K144520-49¥0.270050-99¥0.2500100-299¥0.2400300-499¥0.2320500-999¥0.22601000-4999¥0.22205000-9999¥0.2180≥10000¥0.2140
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品类: 双极性晶体管描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial436010-99¥9.7560100-499¥9.2682500-999¥8.94301000-1999¥8.92672000-4999¥8.86175000-7499¥8.78047500-9999¥8.7154≥10000¥8.6828
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3Pin TO-247 Tube56945-49¥24.406250-199¥23.3632200-499¥22.7791500-999¥22.63311000-2499¥22.48712500-4999¥22.32025000-7499¥22.2159≥7500¥22.1116
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3Pin TO-247 Tube81395-49¥24.406250-199¥23.3632200-499¥22.7791500-999¥22.63311000-2499¥22.48712500-4999¥22.32025000-7499¥22.2159≥7500¥22.1116
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。39025-49¥19.527350-199¥18.6928200-499¥18.2255500-999¥18.10871000-2499¥17.99182500-4999¥17.85835000-7499¥17.7749≥7500¥17.6914
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品类: IGBT晶体管描述: FGA20N120FTD 系列 1200 V 40 A 场截止 沟道 IGBT-TO-3PN95705-49¥23.435150-199¥22.4336200-499¥21.8728500-999¥21.73261000-2499¥21.59232500-4999¥21.43215000-7499¥21.3320≥7500¥21.2318
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品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARK®2 335mJ , 400V , N沟道IGBT点火 EcoSPARK®2 335mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT185710-99¥9.6720100-499¥9.1884500-999¥8.86601000-1999¥8.84992000-4999¥8.78545000-7499¥8.70487500-9999¥8.6403≥10000¥8.6081
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 250V 41A 3Pin TO-252 T/R24125-49¥12.647750-199¥12.1072200-499¥11.8045500-999¥11.72891000-2499¥11.65322500-4999¥11.56675000-7499¥11.5127≥7500¥11.4586
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。53315-24¥6.318025-49¥5.850050-99¥5.5224100-499¥5.3820500-2499¥5.28842500-4999¥5.17145000-9999¥5.1246≥10000¥5.0544
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3Pin(3+Tab) TO-3PN Tube85185-49¥14.742050-199¥14.1120200-499¥13.7592500-999¥13.67101000-2499¥13.58282500-4999¥13.48205000-7499¥13.4190≥7500¥13.3560
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT,Fairchild Semiconductor 这些** EcoSPARK2** IGBT 设备经过优化,可用于驱动汽车点火线圈。 它们经过应力测试,符合 AEC-Q101 标准。 逻辑电平栅极驱动 ESD 保护 应用:汽车点火线圈驱动器电路、线圈式火花塞应用。 **RS 产品代码** 807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK 864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2 864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220 864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK 864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220 864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK 864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2 ### 注 所述电流额定值在接点温度 Tc = +110°C 时适用。 ### 标准 AEC-Q101 ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。857410-99¥11.7360100-499¥11.1492500-999¥10.75801000-1999¥10.73842000-4999¥10.66025000-7499¥10.56247500-9999¥10.4842≥10000¥10.4450
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品类: TVS二极管描述: DIODE ULT FAST 400V 6A TO-220F446320-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: TVS二极管描述: Diode Switching 600V 5A 2Pin(2+Tab) TO-220F Rail606120-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: TVS二极管描述: Diode Switching 1.5kV 10A 2Pin(2+Tab) TO-220F Rail85565-24¥1.957525-49¥1.812550-99¥1.7110100-499¥1.6675500-2499¥1.63852500-4999¥1.60235000-9999¥1.5878≥10000¥1.5660
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品类: MOS管描述: MOSFET Digital FET P-Ch512720-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000